BSP320S L6327

产品描述

MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 60V 2.9A

内部编号

生产厂商

数量:14

最小起订量:1
美国加州
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规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	2.9A
Rds（最大）@ ID，VGS	120 mOhm @ 2.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 20µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	12nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	340pF @ 25V
功率 - 最大	1.8W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装	PG-SOT223-4
包装材料	Tape & Reel (TR)
工厂包装数量	1000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single Dual Drain
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	2.9 A
系列	BSP320
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	120 mOhms
封装	Reel
功率耗散	1800 mW
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	SOT-223-4
典型关闭延迟时间	25 ns
零件号别名	BSP320SL6327HTSA1
上升时间	25 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
宽度	3.5 mm
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
产品	MOSFET Small Signal
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	2.9 A
长度	6.5 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	120 mOhms
通道模式	Enhancement
身高	1.6 mm
典型导通延迟时间	11 ns
Pd - Power Dissipation	1.8 W
技术	GaN

型号	厂家	产品描述
BSP320S L6433	Infineon Technologies	MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 60V 2.9A
BSP320SE6327T	Infineon Technologies AG	60V 120MOHM N-CH SOT223
BSP320SE6433NT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP320SH6433XTMA1	Infineon Technologies AG	A
BSP320SL6327	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP320SL6327HTSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP320SL6433HTMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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